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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | DMHC6070LSD-13 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A, 2.4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 731pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 1.6W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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DMHC6070LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO | - | 25000 | 詳細 |