画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | DMG6602SVTQ-7 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A, 2.8A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 840mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | - | 39000 | 詳細 |
 |
DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | - | 75000 | 詳細 |
 |
DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | 6000 | 詳細 | |
 |
DMG6602SVTX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR | - | 544749 | 詳細 |