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| 品番 | C3M0065100K |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 35nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 600V |
| Vgs（最大） | +19V, -8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 113.5W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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