CP647-MJ11015-WR

TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
CP647-MJ11015-WR P1
CP647-MJ11015-WR P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Central Semiconductor Corp ~ CP647-MJ11015-WR

品番
CP647-MJ11015-WR
メーカー
Central Semiconductor Corp
説明
TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- CP647-MJ11015-WR PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
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製品パラメータ

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品番 CP647-MJ11015-WR
部品ステータス Preliminary
トランジスタタイプ PNP - Darlington
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 30A
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 120V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 4V @ 300mA, 30A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 200 @ 30A, 5V
電力 - 最大 -
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die

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