• お問い合わせ
  • 引用を要求
  • 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • Türkiy
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
    • Vietnam
BOM

BLF6G20LS-180RN:11

RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLF6G20LS-180RN:11
BLF6G20LS-180RN:11 P1
BLF6G20LS-180RN:11 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G20LS-180RN:11

品番
BLF6G20LS-180RN:11
メーカー
Ampleon USA Inc.
説明
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BLF6G20LS-180RN:11.pdf BLF6G20LS-180RN:11 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 BLF6G20LS-180RN:11
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.93GHz ~ 1.99GHz
利得 17.2dB
電圧 - テスト 30V
電流定格 49A
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 1.4A
電力出力 40W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース SOT-502B
サプライヤデバイスパッケージ SOT502B

関連製品

すべての製品

画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
BLF6G20-110,112 BLF6G20-110,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A 0 詳細
BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180PN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A 0 詳細
BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-180RN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A 0 詳細
BLF6G20-230P BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A - 0 詳細
BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A 0 詳細
BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-230PRN,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A 0 詳細
BLF6G20-40,112 BLF6G20-40,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A 0 詳細
BLF6G20-45,112 BLF6G20-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A 30 詳細
BLF6G20-45,135 BLF6G20-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A 0 詳細
BLF6G20-75,112 BLF6G20-75,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A 0 詳細
BLF6G20LS-110,112 BLF6G20LS-110,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B 0 詳細
BLF6G20LS-110,118 BLF6G20LS-110,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B 0 詳細