AOB11S65L

MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AOB11S65L P1
AOB11S65L P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB11S65L

品番
AOB11S65L
メーカー
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
説明
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
AOB11S65L.pdf AOB11S65L PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 AOB11S65L
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 13.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 646pF @ 100V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 198W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 399 mOhm @ 5.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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