ALD1101BSAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD1101BSAL P1
ALD1101BSAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD1101BSAL

品番
ALD1101BSAL
メーカー
Advanced Linear Devices Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 ALD1101BSAL
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 10.6V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 500mW
動作温度 0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC

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