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| Numero di parte | C3M0075120D |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +19V, -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 113.6W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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C3M0030090K | Cree/Wolfspeed | ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE | - | 2138 | Dettagli |
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C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | - | 3689 | Dettagli |
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C3M0065090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | - | 6540 | Dettagli |
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C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | - | 0 | Dettagli |
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C3M0065100J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7 | - | 120 | Dettagli |
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C3M0065100J-TR | Cree/Wolfspeed | 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET | - | 5158 | Dettagli |
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C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | - | 905 | Dettagli |
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C3M0075120D | Cree/Wolfspeed | MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC | - | 2738 | Dettagli |
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C3M0075120J | Cree/Wolfspeed | 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET | 0 | Dettagli | |
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C3M0075120J-TR | Cree/Wolfspeed | 1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON | - | 4951 | Dettagli |
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C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | - | 932 | Dettagli |
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C3M0120090D | Cree/Wolfspeed | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | - | 1726 | Dettagli |