WNS30H100CBJ

WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13 Q1/
WNS30H100CBJ P1
WNS30H100CBJ P1
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WeEn Semiconductors ~ WNS30H100CBJ

Numero di parte
WNS30H100CBJ
fabbricante
WeEn Semiconductors
Descrizione
WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13 Q1/
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- WNS30H100CBJ PDF online browsing
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte WNS30H100CBJ
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 710mV @ 15A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 100V
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK

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