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| Numero di parte | SQJA70EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SQJA70EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8 | - | 201013 | Dettagli |
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SQJA72EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 | - | 97686 | Dettagli |
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SQJA76EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK SO-8L | - | 103849 | Dettagli |