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| Numero di parte | SI3473DDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | Dettagli |
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SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |