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| Numero di parte | SI2308CDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2308BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | - | 24000 | Dettagli |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | - | 6000 | Dettagli |
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SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 | - | 541613 | Dettagli |
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SI2308DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |