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| Numero di parte | EGF1BHE3_A/H |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214BA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 22500 | Dettagli |
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EGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Dettagli |
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EGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 3000 | Dettagli |
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EGF1AHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Dettagli |
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EGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Dettagli |
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EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | Dettagli |
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EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | Dettagli |
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EGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 7500 | Dettagli |
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EGF1B-1HE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | Dettagli |
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EGF1B-1HE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | Dettagli |
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EGF1B-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Dettagli |
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EGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Dettagli |