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| Numero di parte | TP90H180PS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 8V |
| Vgs (massimo) | ±18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 600V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TP90H180PS | Transphorm | GANFET N-CH 900V 15A TO220AB | - | 5511 | Dettagli |