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| Numero di parte | TP65H035WSQA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 187W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TP65H035WS | Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | - | 3382 | Dettagli |
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TP65H035WSQA | Transphorm | GANFET N-CH 650V 47A TO247-3 | - | 3026 | Dettagli |
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TP65H050WS | Transphorm | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 | - | 4067 | Dettagli |