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| Numero di parte | SSM3J35AMFV,L3F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 42pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VESM |
| Pacchetto / caso | SOT-723 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3J114TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM | - | 0 | Dettagli |
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