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| Numero di parte | CMG06(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-128 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | M-FLAT (2.4x3.8) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CMG06(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT | - | 614080 | Dettagli |