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| Numero di parte | 2SA965-Y,SWFF(M |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Frequenza - Transizione | 120MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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2SA965-O(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-O,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y(T6CANO,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y,SWFF(M | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli | |
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2SA965-Y,T6KOJPF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 | 0 | Dettagli |