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| Numero di parte | RS1GLW RVG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-123W |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD123W |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RS1G | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 15000 | Dettagli |
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RS1G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1186669 | Dettagli |
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RS1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 954495 | Dettagli |
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RS1G-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 0 | Dettagli | |
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RS1G-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | - | 15000 | Dettagli |
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RS1G-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 400V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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RS1G120MNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP | - | 5000 | Dettagli |
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RS1G150MNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP | - | 0 | Dettagli |