STGW80H65FB-4

IGBT BIPO 650V 80A TO247
STGW80H65FB-4 P1
STGW80H65FB-4 P1
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STMicroelectronics ~ STGW80H65FB-4

Numero di parte
STGW80H65FB-4
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
IGBT BIPO 650V 80A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte STGW80H65FB-4
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 120A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Potenza - Max 469W
Cambiare energia 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 414nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 84ns/280ns
Condizione di test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-4L

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