UPA2373T1P-E4-A

MOSFET 2N-CH 24V
UPA2373T1P-E4-A P1
UPA2373T1P-E4-A P1
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Renesas Electronics America ~ UPA2373T1P-E4-A

Numero di parte
UPA2373T1P-E4-A
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET 2N-CH 24V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte UPA2373T1P-E4-A
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-XFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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