VEC2616-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
VEC2616-TL-H P1
VEC2616-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ VEC2616-TL-H

Numero di parte
VEC2616-TL-H
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- VEC2616-TL-H PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte VEC2616-TL-H
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 8-VEC

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