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| Numero di parte | NVD6416ANLT4G-001 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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NVD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | - | 16829 | Dettagli |
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NVD6414ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NVD6415ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 | - | 12779 | Dettagli |
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NVD6415ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 | - | 0 | Dettagli |
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NVD6415ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | - | 10750 | Dettagli |
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NVD6415ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NVD6416ANLT4G-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V DPAK | - | 67500 | Dettagli |
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NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK | - | 75000 | Dettagli |
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NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | - | 10036 | Dettagli |
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NVD6416ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | - | 40000 | Dettagli |