NTMD5836NLR2G

MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
NTMD5836NLR2G P1
NTMD5836NLR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMD5836NLR2G

Numero di parte
NTMD5836NLR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTMD5836NLR2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NTMD5836NLR2G
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V
Potenza - Max 1.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC

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