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| Numero di parte | NTJD1155LT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 400mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NTJD1155LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD1155LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT2 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT4 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD2152PT4G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD4001NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363 | - | 0 | Dettagli |
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NTJD4001NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 | - | 0 | Dettagli |