NSVMUN2212T1G

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
NSVMUN2212T1G P1
NSVMUN2212T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVMUN2212T1G

Numero di parte
NSVMUN2212T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NSVMUN2212T1G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
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Numero di parte NSVMUN2212T1G
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 230mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SC-59-3

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