NSVEMD4DXV6T5G

TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
NSVEMD4DXV6T5G P1
NSVEMD4DXV6T5G P1
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ON Semiconductor ~ NSVEMD4DXV6T5G

Numero di parte
NSVEMD4DXV6T5G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NSVEMD4DXV6T5G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
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Numero di parte NSVEMD4DXV6T5G
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k, 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563

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