ECH8659-TL-W

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
ECH8659-TL-W P1
ECH8659-TL-W P1
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ON Semiconductor ~ ECH8659-TL-W

Numero di parte
ECH8659-TL-W
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ECH8659-TL-W
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-28FL/ECH8

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