ECH8601M-TL-H

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
ECH8601M-TL-H P1
ECH8601M-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8601M-TL-H

Numero di parte
ECH8601M-TL-H
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- ECH8601M-TL-H PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ECH8601M-TL-H
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH

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