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| Numero di parte | 2N5461G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2mA @ 15V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 350mW |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 135°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Dettagli |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Dettagli |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Dettagli |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Dettagli |