PMN45EN,165

MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
PMN45EN,165 P1
PMN45EN,165 P1
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NXP USA Inc. ~ PMN45EN,165

Numero di parte
PMN45EN,165
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte PMN45EN,165
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 495pF @ 25V
Vgs (massimo) 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
Pacchetto / caso SC-74, SOT-457

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