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| Numero di parte | PSMN1R3-30YL,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6227pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 121W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN1R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 1500 | Dettagli | |
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PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 3000 | Dettagli | |
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PSMN1R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | - | 57349 | Dettagli |
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PSMN1R0-40YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 4500 | Dettagli | |
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PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 4823 | Dettagli | |
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PSMN1R1-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4260 | Dettagli | |
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PSMN1R1-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN1R2-25YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 19500 | Dettagli | |
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PSMN1R2-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 10500 | Dettagli | |
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PSMN1R2-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 1500 | Dettagli |