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| Numero di parte | PSMN017-30EL,127 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 552pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN010-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN010-55D,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN010-80YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK56 | 0 | Dettagli | |
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PSMN011-30YL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | 1500 | Dettagli | |
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PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 4500 | Dettagli | |
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PSMN011-60MSX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | 3000 | Dettagli | |
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PSMN011-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN012-100YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 | - | 128758 | Dettagli |
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PSMN012-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK | 12000 | Dettagli | |
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PSMN012-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN012-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK | 12000 | Dettagli |