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Nexperia USA Inc. ~ BSS138BKVL

Numero di parte	BSS138BKVL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	360mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Dettagli
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Dettagli
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Dettagli
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Dettagli
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Dettagli
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli