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| Numero di parte | 74HCT4851PW,112 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Interruttore di circuito | - |
| Circuito multiplexer / demultiplexer | 8:1 |
| Numero di circuiti | 1 |
| Resistenza su stato (max) | 210 Ohm |
| Corrispondenza da canale a canale (& Delta; Ron) | 2 Ohm |
| Voltage - Supply, Single (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tensione - Alimentazione, doppia (V ±) | - |
| Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max) | 25ns, 80ns |
| -3 dB di larghezza di banda | - |
| Iniezione di carica | - |
| Channel Capacitance (CS (off), CD (off)) | 10pF |
| Corrente - Dispersione (IS (off)) (max) | 100nA |
| crosstalk | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Pacchetto / caso | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-TSSOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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74HCT00BQ,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN | 0 | Dettagli | |
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74HCT00BQ-Q100,115 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN | 0 | Dettagli | |
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74HCT00D | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC | - | 813637 | Dettagli |
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74HCT00D(BJ) | Toshiba Semiconductor and Storage | IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC | - | 2500 | Dettagli |
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74HCT00D,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 7981 | Dettagli | |
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74HCT00D,653 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Dettagli | |
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74HCT00D-Q100,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Dettagli | |
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74HCT00D/AUJ | NXP USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO | 0 | Dettagli | |
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74HCT00DB,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 112 | Dettagli | |
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74HCT00DB,118 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP | 0 | Dettagli | |
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74HCT00N,652 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP | 0 | Dettagli | |
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74HCT00PW,112 | Nexperia USA Inc. | IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP | 0 | Dettagli |