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| Numero di parte | JANTX2N4416AUB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 35V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 15mA @ 15V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Dettagli |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Dettagli |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Dettagli |