APTGF100A120T3WG

IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
APTGF100A120T3WG P1
APTGF100A120T3WG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF100A120T3WG

Numero di parte
APTGF100A120T3WG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte APTGF100A120T3WG
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 130A
Potenza - Max 657W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3

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