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| Numero di parte | APTC60DAM18CTG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 143A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1036nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 833W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 71.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
| Pacchetto / caso | SP4 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | - | 10 | Dettagli |
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APTC60AM242G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 | - | 12 | Dettagli |
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APTC60AM24SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | - | 0 | Dettagli |
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APTC60AM24T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTC60AM35SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | - | 0 | Dettagli |
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APTC60AM35T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | - | 0 | Dettagli |
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APTC60AM42F2G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | - | 0 | Dettagli |
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APTC60AM45B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | - | 5 | Dettagli |
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APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | - | 10 | Dettagli |
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APTC60AM45T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | - | 1626 | Dettagli |
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APTC60AM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | 0 | Dettagli | |
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APTC60AM83B1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | - | 0 | Dettagli |