APT25GN120B2DQ2G

IGBT 1200V 67A 272W TMAX
APT25GN120B2DQ2G P1
APT25GN120B2DQ2G P2
APT25GN120B2DQ2G P1
APT25GN120B2DQ2G P2
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Microsemi Corporation ~ APT25GN120B2DQ2G

Numero di parte
APT25GN120B2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APT25GN120B2DQ2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte APT25GN120B2DQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 67A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max 272W
Cambiare energia 2.15µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/280ns
Condizione di test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -

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