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| Numero di parte | MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2) |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 162-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (10.5x8) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5687 | Dettagli |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5728 | Dettagli |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 4579 | Dettagli |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | Dettagli |