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| Numero di parte | 1N4448W-TP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 250mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N4436 | Microsemi Corporation | SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER | - | 1183 | Dettagli |
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1N4437_FT | Microsemi Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO-3 | - | 0 | Dettagli |
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1N4444-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | - | 0 | Dettagli |
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1N4446 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N4446 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N4446 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N4446TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N4446_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Dettagli | |
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1N4447 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 3195 | Dettagli |
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1N4447TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 0 | Dettagli |
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1N4448 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 8637 | Dettagli |
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1N4448 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 5133294 | Dettagli |