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| Numero di parte | IXTY08N50D2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 312pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | - | 4699 | Dettagli |
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IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | - | 699 | Dettagli |
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IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | - | 0 | Dettagli |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 30 | Dettagli | |
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IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | - | 31739 | Dettagli |
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IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | - | 1957 | Dettagli |
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IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 526 | Dettagli | |
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IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | 0 | Dettagli |