Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IXTT90P10P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 45A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | - | 319 | Dettagli |
 |
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | - | 0 | Dettagli |
 |
IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | - | 0 | Dettagli |
 |
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | 0 | Dettagli | |
 |
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | 0 | Dettagli | |
 |
IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 0 | Dettagli | |
 |
IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 88 | Dettagli | |
 |
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | - | 0 | Dettagli |
 |
IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | 0 | Dettagli | |
 |
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | - | 0 | Dettagli |
 |
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | 0 | Dettagli | |
 |
IXTT12N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | - | 0 | Dettagli |