IXTQ40N50L2

MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
IXTQ40N50L2 P1
IXTQ40N50L2 P1
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IXYS ~ IXTQ40N50L2

Numero di parte
IXTQ40N50L2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXTQ40N50L2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3

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