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| Numero di parte | IXTD3N60P-2J |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 411pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / caso | Die |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V | - | 6733 | Dettagli |
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IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6493 | Dettagli |
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IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 | - | 6493 | Dettagli |
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IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6488 | Dettagli |
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IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 | - | 6488 | Dettagli |
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IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE | - | 0 | Dettagli |