IXFT13N80Q

MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
IXFT13N80Q P1
IXFT13N80Q P1
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IXYS ~ IXFT13N80Q

Numero di parte
IXFT13N80Q
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFT13N80Q
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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