IXFH34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
IXFH34N65X2 P1
IXFH34N65X2 P2
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IXYS ~ IXFH34N65X2

Numero di parte
IXFH34N65X2
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXFH34N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3330pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3

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