IRLB4030PBF

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
IRLB4030PBF P1
IRLB4030PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLB4030PBF

Numero di parte
IRLB4030PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRLB4030PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11360pF @ 50V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 110A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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