Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
 |
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
 |
IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
 |
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
 |
IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 57248 | Dettagli |