FD400R33KF2CKNOSA1

IGBT MODULE VCES 650V 400A
FD400R33KF2CKNOSA1 P1
FD400R33KF2CKNOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FD400R33KF2CKNOSA1

Numero di parte
FD400R33KF2CKNOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT MODULE VCES 650V 400A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte FD400R33KF2CKNOSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 660A
Potenza - Max 4800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 400A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 50nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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